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11月25-27日,由深圳市龙华区科技创新局特别支持,国家半导体工程研发及快三投注平台联盟(CSA)、第三代半导体快三投注平台技术创新战略联盟(CASA)主办,深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)在深圳会展中心召开。 

11月27日上午,“固态紫外器件技术”分会如期召开。本届分会山西中科潞安紫外光电科技有限公司、中微半导体设备(上海)股份有限公司协办。

第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势,展现出巨大的应用潜力。分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料,以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料,高效量子结构设计及外延,以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键备技术。

挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士Helge WEMAN,南京大学教授陆海,台湾交通大学特聘教授郭浩中,中微半导体设备(上海)股份有限公司主任工艺工程师胡建正,上海大学教授、Ultratrend Technologies Inc总裁吴亮,河北工业大学教授张紫辉,中国科学院半导体研究所倪茹雪,郑州大学Muhammad Nawaz SHARIF,厦门大学高娜,南京大学王致远等国际知名与专家参加本次会议,力图呈现紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新进展。厦门大学教授康俊勇、中科院半导体所研究员、半导体研发中心主任王军喜共同主持了本次分会。

河北工业大学教授张紫辉带来了题为“基于氮化物半导体和碳化硅光电子器件的仿真与分析”的精彩报告,介绍基于氮化物半导体和SiC材料光电子器件仿真与分析的最新结果。 

研究通过极化调、掺杂调控等手段适当调节载流子的能量以改善AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED) 载流子的注入效率,通过局部调控掺杂类型改善了DUV LED的电流扩展,并揭示了器件机理;此外,针对GaN基核/壳LED以及Micro-LED的器件物理进行了详细研究,系统探究了各种参数对载流子输运及载流子合过程的影响;并介绍了基于4H-SiC的雪崩光电探测器的数值模拟及实验工作。

(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)

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